1925

SI7460DP-T1-GE3, МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал

230,00 руб.

x 230,00 = 230,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней230,00руб.213,90руб.207,00руб.202,40руб.195,50руб.184,00руб.179,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней432,40руб.397,90руб.391,00руб.381,80руб.368,00руб.347,30руб.338,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней439,30руб.404,80руб.395,60руб.386,40руб.368,00руб.349,60руб.342,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней276,00руб.253,00руб.248,40руб.241,50руб.234,60руб.220,80руб.213,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней400,20руб.368,00руб.358,80руб.351,90руб.340,40руб.319,70руб.310,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней250,70руб.232,30руб.225,40руб.220,80руб.213,90руб.200,10руб.195,50руб.

Характеристики

SI7460DP-T1-GE3, МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал The SI7460DP-T1-GE3 is an N-channel Fast Switching MOSFET features a new low thermal resistance PowerPAK® package with low 1.07mm profile.

• Halogen-free in according to IEC 61249-2-21 standard

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

PowerPAK SO

Рассеиваемая Мощность

1.9Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

60В

Непрерывный Ток Стока

11А