1925

SI4410DYTRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 30 В, 0.01 Ом

76,00 руб.

x 76,00 = 76,00
Артикул: 1135374 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней76,00руб.70,68руб.68,40руб.66,88руб.62,32руб.60,80руб.59,28руб.54,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней137,56руб.126,16руб.123,88руб.120,84руб.112,48руб.110,20руб.107,16руб.96,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней177,84руб.164,16руб.160,36руб.156,56руб.145,92руб.142,12руб.139,08руб.124,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней91,20руб.83,60руб.82,08руб.79,80руб.74,48руб.72,96руб.70,68руб.63,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней175,56руб.161,88руб.158,08руб.154,28руб.149,72руб.144,40руб.136,80руб.123,12руб.

Характеристики

SI4410DYTRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 30 В, 0.01 Ом The SI4410DYTRPBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.

• Low gate charge
• Logic level drive
• Low conduction losses
• Low switch losses

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

10а