1925

SI4134DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 30 В

62,00 руб.

x 62,00 = 62,00
Артикул: 1135371 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней62,00руб.57,66руб.55,80руб.54,56руб.50,84руб.49,60руб.48,36руб.44,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней112,22руб.102,92руб.101,06руб.98,58руб.91,76руб.89,90руб.87,42руб.78,74руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней145,08руб.133,92руб.130,82руб.127,72руб.119,04руб.115,94руб.113,46руб.101,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней74,40руб.68,20руб.66,96руб.65,10руб.60,76руб.59,52руб.57,66руб.52,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней143,22руб.132,06руб.128,96руб.125,86руб.122,14руб.117,80руб.111,60руб.100,44руб.

Характеристики

SI4134DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 30 В The SI4134DY-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

14А