1925

SI4102DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 3.8 А, 100 В

55,00 руб.

x 55,00 = 55,00
Артикул: 1135369 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней55,00руб.51,15руб.49,50руб.48,40руб.45,10руб.44,00руб.42,90руб.39,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней99,55руб.91,30руб.89,65руб.87,45руб.81,40руб.79,75руб.77,55руб.69,85руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней128,70руб.118,80руб.116,05руб.113,30руб.105,60руб.102,85руб.100,65руб.90,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней66,00руб.60,50руб.59,40руб.57,75руб.53,90руб.52,80руб.51,15руб.46,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней127,05руб.117,15руб.114,40руб.111,65руб.108,35руб.104,50руб.99,00руб.89,10руб.

Характеристики

SI4102DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 3.8 А, 100 В The SI4102DY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high frequency boost converter and LED backlight for LCD TV applications.

• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

4.8Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

3.8А