98e161c7c538fe0ac03c525403c15513

SI2351DS-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -20 В

33,00 руб.

x 33,00 = 33,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней33,00руб.30,69руб.29,70руб.29,04руб.27,06руб.26,40руб.25,74руб.23,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней59,73руб.54,78руб.53,79руб.52,47руб.48,84руб.47,85руб.46,53руб.41,91руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней77,22руб.71,28руб.69,63руб.67,98руб.63,36руб.61,71руб.60,39руб.54,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней39,60руб.36,30руб.35,64руб.34,65руб.32,34руб.31,68руб.30,69руб.27,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней76,23руб.70,29руб.68,64руб.66,99руб.65,01руб.62,70руб.59,40руб.53,46руб.

Характеристики

SI2351DS-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -20 В Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-236

Рассеиваемая Мощность

1Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-20В

Непрерывный Ток Стока

-3А