11

SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]

19,00 руб.

x 19,00 = 19,00
Артикул: 1126800 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней19,00руб.17,67руб.17,10руб.16,72руб.15,58руб.15,20руб.14,82руб.13,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней34,39руб.31,54руб.30,97руб.30,21руб.28,12руб.27,55руб.26,79руб.24,13руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней44,46руб.41,04руб.40,09руб.39,14руб.36,48руб.35,53руб.34,77руб.31,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней22,80руб.20,90руб.20,52руб.19,95руб.18,62руб.18,24руб.17,67руб.15,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней43,89руб.40,47руб.39,52руб.38,57руб.37,43руб.36,10руб.34,20руб.30,78руб.

Характеристики

SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]The SI2323DS-T1-E3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 1.25W.

• ±8V Gate-source voltage
• Halogen-free

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

p-канал