9df4fefe4b4fdccdf78a172ea7bde450

Транзистор SI2315BDS-T1-GE3, P CHANNEL MOSFET

69,00 руб.

x 69,00 = 69,00
Артикул: 1135342 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней69,00руб.64,17руб.62,10руб.60,72руб.56,58руб.55,20руб.53,82руб.49,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней124,89руб.114,54руб.112,47руб.109,71руб.102,12руб.100,05руб.97,29руб.87,63руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней161,46руб.149,04руб.145,59руб.142,14руб.132,48руб.129,03руб.126,27руб.113,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней82,80руб.75,90руб.74,52руб.72,45руб.67,62руб.66,24руб.64,17руб.57,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней159,39руб.146,97руб.143,52руб.140,07руб.135,93руб.131,10руб.124,20руб.111,78руб.

Характеристики

SI2315BDS-T1-GE3, P CHANNEL MOSFETПолупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

750мВт
Полярность Транзистора

P Channel
Напряжение Истока-стока Vds

-12В
Непрерывный Ток Стока

-3А