1925

SI1032R-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 140 мА, 20 В, 5 Ом

24,00 руб.

x 24,00 = 24,00
Артикул: 1135327 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней24,00руб.22,32руб.21,60руб.21,12руб.19,68руб.19,20руб.18,72руб.17,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней43,44руб.39,84руб.39,12руб.38,16руб.35,52руб.34,80руб.33,84руб.30,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней56,16руб.51,84руб.50,64руб.49,44руб.46,08руб.44,88руб.43,92руб.39,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней28,80руб.26,40руб.25,92руб.25,20руб.23,52руб.23,04руб.22,32руб.20,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней55,44руб.51,12руб.49,92руб.48,72руб.47,28руб.45,60руб.43,20руб.38,88руб.

Характеристики

SI1032R-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 140 мА, 20 В, 5 Ом The SI1032R-T1-GE3 is a 1.5VGS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.

• 2000V Gate-source ESD protected
• Low-side switching
• Low ON-resistance
• Low threshold
• 35ns Fast switching speed
• 1.5V Rated voltage
• Halogen-free
• Ease in driving switches
• Low offset voltage
• Low-voltage operation
• High-speed circuits
• Low battery voltage operation

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SC-89
Рассеиваемая Мощность

250мВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

20В
Непрерывный Ток Стока

140мА