5bb47fdfad812c1563942a3792d1e413

RGT60TS65DGC11, БТИЗ транзистор, полевой, 55 А, 1.65 В

350,00 руб.

x 350,00 = 350,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней350,00руб.325,50руб.315,00руб.308,00руб.297,50руб.280,00руб.273,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней658,00руб.605,50руб.595,00руб.581,00руб.560,00руб.528,50руб.514,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней668,50руб.616,00руб.602,00руб.588,00руб.560,00руб.532,00руб.521,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней420,00руб.385,00руб.378,00руб.367,50руб.357,00руб.336,00руб.325,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней609,00руб.560,00руб.546,00руб.535,50руб.518,00руб.486,50руб.472,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней381,50руб.353,50руб.343,00руб.336,00руб.325,50руб.304,50руб.297,50руб.

Характеристики

RGT60TS65DGC11, БТИЗ транзистор, полевой, 55 А, 1.65 В Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

650В

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-247N

Рассеиваемая Мощность

194Вт

DC Ток Коллектора

55А