52н

RFP12N10L, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 100 В, 200 мОм

81,00 руб.

x 81,00 = 81,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней81,00руб.75,33руб.72,90руб.71,28руб.66,42руб.64,80руб.63,18руб.58,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней146,61руб.134,46руб.132,03руб.128,79руб.119,88руб.117,45руб.114,21руб.102,87руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней189,54руб.174,96руб.170,91руб.166,86руб.155,52руб.151,47руб.148,23руб.132,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней97,20руб.89,10руб.87,48руб.85,05руб.79,38руб.77,76руб.75,33руб.68,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней187,11руб.172,53руб.168,48руб.164,43руб.159,57руб.153,90руб.145,80руб.131,22руб.

Характеристики

RFP12N10L, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 100 В, 200 мОм The RFP12N10L is a 100V N-channel logic level enhancement mode power MOSFET designed for logic level 5V driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching and solenoid drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conduction at gate biases in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Compatible with automotive drive requirements
• Can be driven directly from QMOS, NMOS and TTL circuits
• High input impedance
• Nanosecond switching speed
• Linear transfer characteristics

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB

Рассеиваемая Мощность

60Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

12А