RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]

140,00 руб.

Артикул: 1127561 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	140,00руб.	130,20руб.	126,00руб.	123,20руб.	119,00руб.	112,00руб.	109,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	263,20руб.	242,20руб.	238,00руб.	232,40руб.	224,00руб.	211,40руб.	205,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	267,40руб.	246,40руб.	240,80руб.	235,20руб.	224,00руб.	212,80руб.	208,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	168,00руб.	154,00руб.	151,20руб.	147,00руб.	142,80руб.	134,40руб.	130,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	243,60руб.	224,00руб.	218,40руб.	214,20руб.	207,20руб.	194,60руб.	189,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	152,60руб.	141,40руб.	137,20руб.	134,40руб.	130,20руб.	121,80руб.	119,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

Дополнительная информация

Корпус	to251aa
Структура	n-канал

Загрузка