8aa2a66a2f325b011c68ceaf3adf67fb

PSMN1R7-30YL,115, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 30 В

77,00 руб.

x 77,00 = 77,00
Артикул: 1134994 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней77,00руб.71,61руб.69,30руб.67,76руб.63,14руб.61,60руб.60,06руб.55,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней139,37руб.127,82руб.125,51руб.122,43руб.113,96руб.111,65руб.108,57руб.97,79руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней180,18руб.166,32руб.162,47руб.158,62руб.147,84руб.143,99руб.140,91руб.126,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней92,40руб.84,70руб.83,16руб.80,85руб.75,46руб.73,92руб.71,61руб.64,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней177,87руб.164,01руб.160,16руб.156,31руб.151,69руб.146,30руб.138,60руб.124,74руб.

Характеристики

PSMN1R7-30YL,115, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 30 В The PSMN1R7-30YL is a N-channel logic level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.

• Improved mechanical and thermal characteristics
• High efficiency gains in switching power converters
• LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
• -55 to 175 C Junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-669
Рассеиваемая Мощность

109Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

100А