PSMN1R2-25YLC, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 25 В

74,00 руб.

Артикул: 1134985 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	74,00руб.	68,82руб.	66,60руб.	65,12руб.	60,68руб.	59,20руб.	57,72руб.	53,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	133,94руб.	122,84руб.	120,62руб.	117,66руб.	109,52руб.	107,30руб.	104,34руб.	93,98руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	173,16руб.	159,84руб.	156,14руб.	152,44руб.	142,08руб.	138,38руб.	135,42руб.	121,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	88,80руб.	81,40руб.	79,92руб.	77,70руб.	72,52руб.	71,04руб.	68,82руб.	62,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	170,94руб.	157,62руб.	153,92руб.	150,22руб.	145,78руб.	140,60руб.	133,20руб.	119,88руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

PSMN1R2-25YLC, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 25 В The PSMN1R2-25YLC is a N-channel enhancement-mode logic level MOSFET optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection, load switching, power O-ring, server power supplies, sync rectifier and domestic equipment applications.

• Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
• Ultra-low RDS (ON) and low parasitic inductance
• -55 to 175 C Junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOT-669
Рассеиваемая Мощность	179Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	25В
Непрерывный Ток Стока	100А