Дополнительная информация
Бренд | Mitsubishi |
---|---|
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3.6 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 5 |
Структура модуля | 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост |
Тип силового модуля | CIB интеллектуальный модуль |
Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
Входная емкость затвора,нФ | — |
Мощность привода, кВт | 0.2 |
Драйвер управления | встроенный |
Защита по току | есть |
Защита от короткого замыкания | есть |
Защита от перегрева | есть |
Защита от пониженного напряжения питания | есть |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | — |
Максимальный ток эмиттера, А | — |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | — |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | — |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | — |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Температурный диапазон,С | -20…125 |