ff54fea6327568497de6829a78f995d0

PMFPB8032XP, МОП-транзистор, P Канал + Шоттки, 3 А, 20 В

71,00 руб.

x 71,00 = 71,00
Артикул: 1134887 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней71,00руб.66,03руб.63,90руб.62,48руб.58,22руб.56,80руб.55,38руб.51,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней128,51руб.117,86руб.115,73руб.112,89руб.105,08руб.102,95руб.100,11руб.90,17руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней166,14руб.153,36руб.149,81руб.146,26руб.136,32руб.132,77руб.129,93руб.116,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней85,20руб.78,10руб.76,68руб.74,55руб.69,58руб.68,16руб.66,03руб.59,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней164,01руб.151,23руб.147,68руб.144,13руб.139,87руб.134,90руб.127,80руб.115,02руб.

Характеристики

PMFPB8032XP, МОП-транзистор, P Канал + Шоттки, 3 А, 20 В The PMFPB8032XP is a P-channel enhancement-mode small-signal FET using Trench MOSFET technology. It is combined with an ultra-low VF maximum efficiency general application Schottky diode and leadless ultra-thin surface-mount plastic package.

• 1.8V RDS (ON) rated for low-voltage gate drive
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• Integrated ultra low VF MEGA Schottky diode
• -55 to 150 C Junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-1118
Рассеиваемая Мощность

485мВт
Полярность Транзистора

P Канал + Шоттки
Напряжение Истока-стока Vds

20В
Непрерывный Ток Стока

3А