11

Транзистор PMBFJ175,215, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET)

50,00 руб.

x 50,00 = 50,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней50,00руб.46,50руб.45,00руб.44,00руб.41,00руб.40,00руб.39,00руб.36,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней90,50руб.83,00руб.81,50руб.79,50руб.74,00руб.72,50руб.70,50руб.63,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней117,00руб.108,00руб.105,50руб.103,00руб.96,00руб.93,50руб.91,50руб.82,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней60,00руб.55,00руб.54,00руб.52,50руб.49,00руб.48,00руб.46,50руб.42,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней115,50руб.106,50руб.104,00руб.101,50руб.98,50руб.95,00руб.90,00руб.81,00руб.

Характеристики

PMBFJ175,215, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET) The PMBFJ175.215 is a P-channel silicon symmetrical JFET housed in plastic micro miniature envelopes. It is a surface-mount device designed for use with analogue switches, choppers and commutator applications.

• Interchangeability of the drain and source connections

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыПолевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3 Вывода

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23