d911bb3dde89220ccf301a600293edba

PBSS9110T, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 300 мВт, 1 А

40,00 руб.

x 40,00 = 40,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней40,00руб.37,20руб.36,00руб.35,20руб.32,80руб.32,00руб.31,20руб.28,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней72,40руб.66,40руб.65,20руб.63,60руб.59,20руб.58,00руб.56,40руб.50,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней93,60руб.86,40руб.84,40руб.82,40руб.76,80руб.74,80руб.73,20руб.65,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней48,00руб.44,00руб.43,20руб.42,00руб.39,20руб.38,40руб.37,20руб.33,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней92,40руб.85,20руб.83,20руб.81,20руб.78,80руб.76,00руб.72,00руб.64,80руб.

Характеристики

PBSS9110T, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 300 мВт, 1 А The PBSS9110T is a 1A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• Higher efficiency leading to less heat generation
• NPN complement is PBSS8110T
• U7 Marking code

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

300мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

DC Усиление Тока hFE

150hFE