67

PBSS5540Z.115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [SOT-223]

20,00 руб.

x 20,00 = 20,00
Артикул: 1123572 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней20,00руб.18,60руб.18,00руб.17,60руб.16,40руб.16,00руб.15,60руб.14,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней36,20руб.33,20руб.32,60руб.31,80руб.29,60руб.29,00руб.28,20руб.25,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней46,80руб.43,20руб.42,20руб.41,20руб.38,40руб.37,40руб.36,60руб.32,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней24,00руб.22,00руб.21,60руб.21,00руб.19,60руб.19,20руб.18,60руб.16,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней46,20руб.42,60руб.41,60руб.40,60руб.39,40руб.38,00руб.36,00руб.32,40руб.

Характеристики

PBSS5540Z.115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [SOT-223] Low Saturation Voltage PNP Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors

Дополнительная информация

Корпус

sot223
Структура

pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

2