67

PBSS5330X, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 550 мВт, 2 А

18,00 руб.

x 18,00 = 18,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней18,00руб.16,74руб.16,20руб.15,84руб.14,76руб.14,40руб.14,04руб.12,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней32,58руб.29,88руб.29,34руб.28,62руб.26,64руб.26,10руб.25,38руб.22,86руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней42,12руб.38,88руб.37,98руб.37,08руб.34,56руб.33,66руб.32,94руб.29,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней21,60руб.19,80руб.19,44руб.18,90руб.17,64руб.17,28руб.16,74руб.15,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней41,58руб.38,34руб.37,44руб.36,54руб.35,46руб.34,20руб.32,40руб.29,16руб.

Характеристики

PBSS5330X, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 550 мВт, 2 А Low Saturation Voltage PNP Transistors, Nexperia
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-89

Рассеиваемая Мощность

550мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

DC Усиление Тока hFE

200hFE