67

PBSS5220T, Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 300 мВт, 2 А

10,00 руб.

x 10,00 = 10,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней10,00руб.9,30руб.9,00руб.8,80руб.8,20руб.8,00руб.7,80руб.7,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней18,10руб.16,60руб.16,30руб.15,90руб.14,80руб.14,50руб.14,10руб.12,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней23,40руб.21,60руб.21,10руб.20,60руб.19,20руб.18,70руб.18,30руб.16,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней12,00руб.11,00руб.10,80руб.10,50руб.9,80руб.9,60руб.9,30руб.8,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней23,10руб.21,30руб.20,80руб.20,30руб.19,70руб.19,00руб.18,00руб.16,20руб.

Характеристики

PBSS5220T, Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 300 мВт, 2 А The PBSS5220T is a 2A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package offering ultra-low VCEsat and RCEsat parameters.

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capabilities of IC and ICM
• Higher efficiency leading to less heat generation
• Reduced printed-circuit board requirements
• 3F Marking code

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

20В

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

300мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

DC Усиление Тока hFE

225hFE