67

PBSS5160T, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 220 МГц

45,00 руб.

x 45,00 = 45,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней45,00руб.41,85руб.40,50руб.39,60руб.36,90руб.36,00руб.35,10руб.32,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней81,45руб.74,70руб.73,35руб.71,55руб.66,60руб.65,25руб.63,45руб.57,15руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней105,30руб.97,20руб.94,95руб.92,70руб.86,40руб.84,15руб.82,35руб.73,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней54,00руб.49,50руб.48,60руб.47,25руб.44,10руб.43,20руб.41,85руб.37,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней103,95руб.95,85руб.93,60руб.91,35руб.88,65руб.85,50руб.81,00руб.72,90руб.

Характеристики

PBSS5160T, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 220 МГц The PBSS5160T is a 1A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a small surface-mount plastic package.

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High efficiency due to less heat generation
• Reduces printed-circuit board (PCB) area required
• NPN complement is PBSS4160T
• U6 Marking code

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

270мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

DC Усиление Тока hFE

350hFE

Частота Перехода ft

220МГц