e65b7e2389e213102bcd6ea30fdc196e

PBSS5130QA, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В

59,00 руб.

x 59,00 = 59,00
Артикул: 1130134 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней59,00руб.54,87руб.53,10руб.51,92руб.48,38руб.47,20руб.46,02руб.42,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней106,79руб.97,94руб.96,17руб.93,81руб.87,32руб.85,55руб.83,19руб.74,93руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней138,06руб.127,44руб.124,49руб.121,54руб.113,28руб.110,33руб.107,97руб.96,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней70,80руб.64,90руб.63,72руб.61,95руб.57,82руб.56,64руб.54,87руб.49,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней136,29руб.125,67руб.122,72руб.119,77руб.116,23руб.112,10руб.106,20руб.95,58руб.

Характеристики

PBSS5130QA, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В The PBSS5130QA is a 1A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a leadless ultra-small surface-mount plastic package with visible and solderable side pads.

• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• Reduced printed-circuit board (PCB) area requirements
• AEC-Q101 qualified
• NPN complement is PBSS4130QA
• 00 10 10 Marking code

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

-30В
Стандарт Корпуса Транзистора

DFN1010D
Рассеиваемая Мощность

325мВт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

-1А
DC Усиление Тока hFE

130hFE
Частота Перехода ft

170МГц