2eb9f5e7acf5dc90a9106e95b8e90b13

PBSS4160DPN,115, Биполярный транзистор, NPN, PNP, 60 В

34,00 руб.

x 34,00 = 34,00
Артикул: 1130936 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней34,00руб.31,62руб.30,60руб.29,92руб.27,88руб.27,20руб.26,52руб.24,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней61,54руб.56,44руб.55,42руб.54,06руб.50,32руб.49,30руб.47,94руб.43,18руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней79,56руб.73,44руб.71,74руб.70,04руб.65,28руб.63,58руб.62,22руб.55,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней40,80руб.37,40руб.36,72руб.35,70руб.33,32руб.32,64руб.31,62руб.28,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней78,54руб.72,42руб.70,72руб.69,02руб.66,98руб.64,60руб.61,20руб.55,08руб.

Характеристики

PBSS4160DPN,115, Биполярный транзистор, NPN, PNP, 60 В The PBSS4160DPN, 115 is a NPN-PNP BISS Transistor encapsulated in surface-mount plastic package. It offers low collector to emitter saturation voltage and high collector current capability. It is designed for use with complementary MOSFET driver, half and full bridge motor drivers and dual low power switches (e.g. motors, fans) applications.

• High collector current gain at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-457
Рассеиваемая Мощность

420мВт
Полярность Транзистора

NPN, PNP
DC Ток Коллектора

1а
DC Усиление Тока hFE

500hFE
Частота Перехода ft

220МГц