a313760e3ac03e62c5ab53bd5a6bd7f2

PBSS4160DPN,115, Биполярный транзистор, NPN, PNP, 60 В

10,00 руб.

x 10,00 = 10,00
Артикул: 1130934 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней10,00руб.9,30руб.9,00руб.8,80руб.8,20руб.8,00руб.7,80руб.7,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней18,10руб.16,60руб.16,30руб.15,90руб.14,80руб.14,50руб.14,10руб.12,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней23,40руб.21,60руб.21,10руб.20,60руб.19,20руб.18,70руб.18,30руб.16,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней12,00руб.11,00руб.10,80руб.10,50руб.9,80руб.9,60руб.9,30руб.8,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней23,10руб.21,30руб.20,80руб.20,30руб.19,70руб.19,00руб.18,00руб.16,20руб.

Характеристики

PBSS4160DPN,115, Биполярный транзистор, NPN, PNP, 60 В The PBSS4160DPN, 115 is a NPN-PNP BISS Transistor encapsulated in surface-mount plastic package. It offers low collector to emitter saturation voltage and high collector current capability. It is designed for use with complementary MOSFET driver, half and full bridge motor drivers and dual low power switches (e.g. motors, fans) applications.

• High collector current gain at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-457
Рассеиваемая Мощность

420мВт
Полярность Транзистора

NPN, PNP
DC Ток Коллектора

1а
DC Усиление Тока hFE

500hFE
Частота Перехода ft

220МГц