NTJD5121NT1G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

21,00 руб.

Артикул: 1131789 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	21,00руб.	19,53руб.	18,90руб.	18,48руб.	17,22руб.	16,80руб.	16,38руб.	15,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	38,01руб.	34,86руб.	34,23руб.	33,39руб.	31,08руб.	30,45руб.	29,61руб.	26,67руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	49,14руб.	45,36руб.	44,31руб.	43,26руб.	40,32руб.	39,27руб.	38,43руб.	34,44руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	25,20руб.	23,10руб.	22,68руб.	22,05руб.	20,58руб.	20,16руб.	19,53руб.	17,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	48,51руб.	44,73руб.	43,68руб.	42,63руб.	41,37руб.	39,90руб.	37,80руб.	34,02руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

NTJD5121NT1G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал The NTJD5121NT1G is a dual N-channel Power MOSFET with ESD protection, low gate threshold and low input capacitance.

• ±20V Gate-source voltage
• 900mA Pulsed drain current
• 1400V Gate-source ESD rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOT-363
Рассеиваемая Мощность	266мВт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	304мА