67

NSS60600MZ4T1G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 100 МГц

57,00 руб.

x 57,00 = 57,00
Артикул: 1130059 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней57,00руб.53,01руб.51,30руб.50,16руб.46,74руб.45,60руб.44,46руб.41,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней103,17руб.94,62руб.92,91руб.90,63руб.84,36руб.82,65руб.80,37руб.72,39руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней133,38руб.123,12руб.120,27руб.117,42руб.109,44руб.106,59руб.104,31руб.93,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней68,40руб.62,70руб.61,56руб.59,85руб.55,86руб.54,72руб.53,01руб.47,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней131,67руб.121,41руб.118,56руб.115,71руб.112,29руб.108,30руб.102,60руб.92,34руб.

Характеристики

NSS60600MZ4T1G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 100 МГц The NSS60600MZ4T1G is a 6A PNP Bipolar Transistor ideal for high speed switching applications where power saving is a concern. It is a combination of low saturation voltage and high gain.

• Low collector-emitter saturation voltage
• Minimized power loss
• High DC current gain
• Very low current requirements
• High current-gain bandwidth product
• Ideal for high frequency designs
• Superior gain linearity
• Minimal distortion
• Halogen-free
• AECQ101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

-60В
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

-6А
DC Усиление Тока hFE

70hFE
Частота Перехода ft

100мгц