22

NSS40302PDR2G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP

76,00 руб.

x 76,00 = 76,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней76,00руб.70,68руб.68,40руб.66,88руб.62,32руб.60,80руб.59,28руб.54,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней137,56руб.126,16руб.123,88руб.120,84руб.112,48руб.110,20руб.107,16руб.96,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней177,84руб.164,16руб.160,36руб.156,56руб.145,92руб.142,12руб.139,08руб.124,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней91,20руб.83,60руб.82,08руб.79,80руб.74,48руб.72,96руб.70,68руб.63,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней175,56руб.161,88руб.158,08руб.154,28руб.149,72руб.144,40руб.136,80руб.123,12руб.

Характеристики

NSS40302PDR2G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP deviceПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

40В

Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

783мВт

Полярность Транзистора

NPN, PNP

DC Ток Коллектора

DC Усиление Тока hFE

200hFE