NSS40200LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -40 В, 100 МГц

38,00 руб.

Артикул: 1130057 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	38,00руб.	35,34руб.	34,20руб.	33,44руб.	31,16руб.	30,40руб.	29,64руб.	27,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	68,78руб.	63,08руб.	61,94руб.	60,42руб.	56,24руб.	55,10руб.	53,58руб.	48,26руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	88,92руб.	82,08руб.	80,18руб.	78,28руб.	72,96руб.	71,06руб.	69,54руб.	62,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	45,60руб.	41,80руб.	41,04руб.	39,90руб.	37,24руб.	36,48руб.	35,34руб.	31,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	87,78руб.	80,94руб.	79,04руб.	77,14руб.	74,86руб.	72,20руб.	68,40руб.	61,56руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

NSS40200LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -40 В, 100 МГц The NSS40200LT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for use in low voltage and high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.

• High current gain
• ESD robust
• High cut-off frequency
• Low profile package
• Linear gain (Beta)
• Improved circuit efficiency
• Decreased battery charge time
• Reduce component count
• High frequency switching
• Smaller portable product
• No distortion
• AECQ101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	-40В
Стандарт Корпуса Транзистора	sot-23
Рассеиваемая Мощность	710мВт
Полярность Транзистора	pnp
DC Ток Коллектора	-2А
DC Усиление Тока hFE	150hFE
Частота Перехода ft	100мгц