4265c1002352bc76cc52f60e5d96fc1b

NJVMJB44H11T4G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 50 МГц

150,00 руб.

x 150,00 = 150,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней150,00руб.139,50руб.135,00руб.132,00руб.127,50руб.120,00руб.117,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней282,00руб.259,50руб.255,00руб.249,00руб.240,00руб.226,50руб.220,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней286,50руб.264,00руб.258,00руб.252,00руб.240,00руб.228,00руб.223,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней180,00руб.165,00руб.162,00руб.157,50руб.153,00руб.144,00руб.139,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней261,00руб.240,00руб.234,00руб.229,50руб.222,00руб.208,50руб.202,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней163,50руб.151,50руб.147,00руб.144,00руб.139,50руб.130,50руб.127,50руб.

Характеристики

NJVMJB44H11T4G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 50 МГц NPN Power Transistors, ON SemiconductorПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263

Рассеиваемая Мощность

2Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

10а

DC Усиление Тока hFE

40hFE

Частота Перехода ft

50МГц