16

NJD35N04G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, NPN, 350 В

87,00 руб.

x 87,00 = 87,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней87,00руб.80,91руб.78,30руб.76,56руб.71,34руб.69,60руб.67,86руб.62,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней157,47руб.144,42руб.141,81руб.138,33руб.128,76руб.126,15руб.122,67руб.110,49руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней203,58руб.187,92руб.183,57руб.179,22руб.167,04руб.162,69руб.159,21руб.142,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней104,40руб.95,70руб.93,96руб.91,35руб.85,26руб.83,52руб.80,91руб.73,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней200,97руб.185,31руб.180,96руб.176,61руб.171,39руб.165,30руб.156,60руб.140,94руб.

Характеристики

NJD35N04G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, NPN, 350 В NPN Darlington Transistors, ON SemiconductorПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

350В

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

45Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

DC Усиление Тока hFE

300hFE

Частота Перехода ft

90МГц