99ebc7cfbfbfa4ae2d95d935f9cd60bc

NGD8205ANT4G, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.3 В, 125 Вт, 350 В

170,00 руб.

x 170,00 = 170,00
Артикул: 1136219 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней170,00руб.158,10руб.153,00руб.149,60руб.144,50руб.136,00руб.132,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней319,60руб.294,10руб.289,00руб.282,20руб.272,00руб.256,70руб.249,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней324,70руб.299,20руб.292,40руб.285,60руб.272,00руб.258,40руб.253,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней204,00руб.187,00руб.183,60руб.178,50руб.173,40руб.163,20руб.158,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней295,80руб.272,00руб.265,20руб.260,10руб.251,60руб.236,30руб.229,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней185,30руб.171,70руб.166,60руб.163,20руб.158,10руб.147,90руб.144,50руб.

Характеристики

NGD8205ANT4G, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.3 В, 125 Вт, 350 В The NGD8205ANT4G is a 300V N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for use in ignition, direct fuel injection or wherever high voltage and high current switching is required. The logic level IGBT features monolithic circuitry integrating ESD and overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.

• Ideal for coil on plug and driver on coil applications
• Gate-emitter ESD protection
• Temperature compensated gate-collector voltage clamp limits stress applied to load
• Integrated ESD diode protection
• Low threshold voltage interfaces power loads to logic or microprocessor devices
• Low saturation voltage
• High pulsed current capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

350В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

125Вт
DC Ток Коллектора

20А