NDS0610, МОП-транзистор, P Канал, 120 мА, -60 В, 10 Ом

25,00 руб.

Артикул: 1134675 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	25,00руб.	23,25руб.	22,50руб.	22,00руб.	20,50руб.	20,00руб.	19,50руб.	18,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	45,25руб.	41,50руб.	40,75руб.	39,75руб.	37,00руб.	36,25руб.	35,25руб.	31,75руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	58,50руб.	54,00руб.	52,75руб.	51,50руб.	48,00руб.	46,75руб.	45,75руб.	41,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	30,00руб.	27,50руб.	27,00руб.	26,25руб.	24,50руб.	24,00руб.	23,25руб.	21,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	57,75руб.	53,25руб.	52,00руб.	50,75руб.	49,25руб.	47,50руб.	45,00руб.	40,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

NDS0610, МОП-транзистор, P Канал, 120 мА, -60 В, 10 Ом The NDS0610 is a P-channel enhancement-mode FET produced using Fairchild’s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. They can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 120mA DC and can deliver current up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.

• Voltage controlled p-channel small signal switch
• High density cell design for low RDS (ON)
• High saturation current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	sot-23
Рассеиваемая Мощность	300мВт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-60В
Непрерывный Ток Стока	120мА