67

MMUN2211LT1G, Транзистор, Digital NPN, 50В, 100мА, [SOT-23]

3,00 руб.

x 3,00 = 3,00
Артикул: 1123559 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней3,00руб.2,79руб.2,70руб.2,64руб.2,46руб.2,40руб.2,34руб.2,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней5,43руб.4,98руб.4,89руб.4,77руб.4,44руб.4,35руб.4,23руб.3,81руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней7,02руб.6,48руб.6,33руб.6,18руб.5,76руб.5,61руб.5,49руб.4,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней3,60руб.3,30руб.3,24руб.3,15руб.2,94руб.2,88руб.2,79руб.2,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней6,93руб.6,39руб.6,24руб.6,09руб.5,91руб.5,70руб.5,40руб.4,86руб.

Характеристики

MMUN2211LT1G, Транзистор, Digital NPN, 50В, 100мА, [SOT-23]The MMUN2211LT1G is a NPN Digital Transistor with monolithic bias resistor network designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.

• Simplifies circuit design
• Reduces board space
• Reduces component count

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

npn
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

35…60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.2