67

MMBTA14LT1G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В

21,00 руб.

x 21,00 = 21,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней21,00руб.19,53руб.18,90руб.18,48руб.17,22руб.16,80руб.16,38руб.15,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней38,01руб.34,86руб.34,23руб.33,39руб.31,08руб.30,45руб.29,61руб.26,67руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней49,14руб.45,36руб.44,31руб.43,26руб.40,32руб.39,27руб.38,43руб.34,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней25,20руб.23,10руб.22,68руб.22,05руб.20,58руб.20,16руб.19,53руб.17,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней48,51руб.44,73руб.43,68руб.42,63руб.41,37руб.39,90руб.37,80руб.34,02руб.

Характеристики

MMBTA14LT1G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В The MMBTA14LT1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

225мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

300мА

DC Усиление Тока hFE

10000hFE

Частота Перехода ft

125МГц