67

MMBTA05LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 100 МГц

21,00 руб.

x 21,00 = 21,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней21,00руб.19,53руб.18,90руб.18,48руб.17,22руб.16,80руб.16,38руб.15,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней38,01руб.34,86руб.34,23руб.33,39руб.31,08руб.30,45руб.29,61руб.26,67руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней49,14руб.45,36руб.44,31руб.43,26руб.40,32руб.39,27руб.38,43руб.34,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней25,20руб.23,10руб.22,68руб.22,05руб.20,58руб.20,16руб.19,53руб.17,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней48,51руб.44,73руб.43,68руб.42,63руб.41,37руб.39,90руб.37,80руб.34,02руб.

Характеристики

MMBTA05LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 100 МГц The MMBTA05LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

225мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

500мА

DC Усиление Тока hFE

100hFE

Частота Перехода ft

100мгц