MMBT6520LT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -350 В

25,00 руб.

Артикул: 1130012 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	25,00руб.	23,25руб.	22,50руб.	22,00руб.	20,50руб.	20,00руб.	19,50руб.	18,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	45,25руб.	41,50руб.	40,75руб.	39,75руб.	37,00руб.	36,25руб.	35,25руб.	31,75руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	58,50руб.	54,00руб.	52,75руб.	51,50руб.	48,00руб.	46,75руб.	45,75руб.	41,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	30,00руб.	27,50руб.	27,00руб.	26,25руб.	24,50руб.	24,00руб.	23,25руб.	21,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	57,75руб.	53,25руб.	52,00руб.	50,75руб.	49,25руб.	47,50руб.	45,00руб.	40,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MMBT6520LT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -350 В GP BJT
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/RПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	-350В
Стандарт Корпуса Транзистора	sot-23
Рассеиваемая Мощность	300мВт
Полярность Транзистора	pnp
DC Ток Коллектора	500мА
DC Усиление Тока hFE	40hFE
Частота Перехода ft	200МГц

Загрузка