MMBT6427LT1G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 40 В

17,00 руб.

Артикул: 1130010 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	17,00руб.	15,81руб.	15,30руб.	14,96руб.	13,94руб.	13,60руб.	13,26руб.	12,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	30,77руб.	28,22руб.	27,71руб.	27,03руб.	25,16руб.	24,65руб.	23,97руб.	21,59руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	39,78руб.	36,72руб.	35,87руб.	35,02руб.	32,64руб.	31,79руб.	31,11руб.	27,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	20,40руб.	18,70руб.	18,36руб.	17,85руб.	16,66руб.	16,32руб.	15,81руб.	14,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	39,27руб.	36,21руб.	35,36руб.	34,51руб.	33,49руб.	32,30руб.	30,60руб.	27,54руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MMBT6427LT1G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 40 В The MMBT6427LT1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	40В
Стандарт Корпуса Транзистора	sot-23
Рассеиваемая Мощность	225мВт
Полярность Транзистора	npn
DC Ток Коллектора	500мА
DC Усиление Тока hFE	200hFE