11

MMBT2907ALT1G, (Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23]

3,00 руб.

x 3,00 = 3,00
Артикул: 1123541 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней3,00руб.2,79руб.2,70руб.2,64руб.2,46руб.2,40руб.2,34руб.2,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней5,43руб.4,98руб.4,89руб.4,77руб.4,44руб.4,35руб.4,23руб.3,81руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней7,02руб.6,48руб.6,33руб.6,18руб.5,76руб.5,61руб.5,49руб.4,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней3,60руб.3,30руб.3,24руб.3,15руб.2,94руб.2,88руб.2,79руб.2,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней6,93руб.6,39руб.6,24руб.6,09руб.5,91руб.5,70руб.5,40руб.4,86руб.

Характеристики

MMBT2907ALT1G, (Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23]The MMBT2907ALT1G is a -60V PNP silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.

• Halogen-free/BFR-free
• -60VDC Collector to base voltage (VCBO)
• -5VDC Emitter to base voltage (VEBO)
• -1200mADC Peak collector current
• 556 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

75
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.3