11

MMBT2484LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 225 мВт

15,00 руб.

x 15,00 = 15,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней15,00руб.13,95руб.13,50руб.13,20руб.12,30руб.12,00руб.11,70руб.10,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней27,15руб.24,90руб.24,45руб.23,85руб.22,20руб.21,75руб.21,15руб.19,05руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней35,10руб.32,40руб.31,65руб.30,90руб.28,80руб.28,05руб.27,45руб.24,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней18,00руб.16,50руб.16,20руб.15,75руб.14,70руб.14,40руб.13,95руб.12,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней34,65руб.31,95руб.31,20руб.30,45руб.29,55руб.28,50руб.27,00руб.24,30руб.

Характеристики

MMBT2484LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 225 мВт The MMBT2484LT1G is a NPN Bipolar transistor designed for high gain, low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Package saves board space

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

225мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

250hFE