11

Транзистор MMBF170LT1G

6,60 руб.

x 6,60 = 6,60
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней6,60руб.6,14руб.5,94руб.5,81руб.5,41руб.5,28руб.5,15руб.4,75руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней11,95руб.10,96руб.10,76руб.10,49руб.9,77руб.9,57руб.9,31руб.8,38руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней15,44руб.14,26руб.13,93руб.13,60руб.12,67руб.12,34руб.12,08руб.10,82руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней7,92руб.7,26руб.7,13руб.6,93руб.6,47руб.6,34руб.6,14руб.5,54руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней15,25руб.14,06руб.13,73руб.13,40руб.13,00руб.12,54руб.11,88руб.10,69руб.

Характеристики

MMBF170LT1GThe MMBF170LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 60VDC and drain current at 500mA.

• AEC-Q101 Qualified
• PPAP capable

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.5 A, 0.225 Вт