Характеристики
MMBF170LT1GThe MMBF170LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 60VDC and drain current at 500mA.
• AEC-Q101 Qualified
• PPAP capable
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.5 A, 0.225 Вт