d9cc862b48cbb2ba0d7ae4ee28337d08

MJE802G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 40 Вт, 4 А, 100 hFE

55,00 руб.

x 55,00 = 55,00
Артикул: 1129968 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней55,00руб.51,15руб.49,50руб.48,40руб.45,10руб.44,00руб.42,90руб.39,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней99,55руб.91,30руб.89,65руб.87,45руб.81,40руб.79,75руб.77,55руб.69,85руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней128,70руб.118,80руб.116,05руб.113,30руб.105,60руб.102,85руб.100,65руб.90,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней66,00руб.60,50руб.59,40руб.57,75руб.53,90руб.52,80руб.51,15руб.46,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней127,05руб.117,15руб.114,40руб.111,65руб.108,35руб.104,50руб.99,00руб.89,10руб.

Характеристики

MJE802G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 40 Вт, 4 А, 100 hFEThe MJE802G is a 4A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

• Complementary device
• Monolithic construction with built-in base-emitter resistors to limit leakage multiplication

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-225
Рассеиваемая Мощность

40Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

4А
DC Усиление Тока hFE

100hFE