16

MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]

24,00 руб.

x 24,00 = 24,00
Артикул: 1123519 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней24,00руб.22,32руб.21,60руб.21,12руб.19,68руб.19,20руб.18,72руб.17,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней43,44руб.39,84руб.39,12руб.38,16руб.35,52руб.34,80руб.33,84руб.30,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней56,16руб.51,84руб.50,64руб.49,44руб.46,08руб.44,88руб.43,92руб.39,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней28,80руб.26,40руб.25,92руб.25,20руб.23,52руб.23,04руб.22,32руб.20,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней55,44руб.51,12руб.49,92руб.48,72руб.47,28руб.45,60руб.43,20руб.38,88руб.

Характеристики

MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]GP BJT
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

1.75