16

MJD45H11T4, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 20 Вт, -8 А

56,00 руб.

x 56,00 = 56,00
Артикул: 1129938 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней56,00руб.52,08руб.50,40руб.49,28руб.45,92руб.44,80руб.43,68руб.40,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней101,36руб.92,96руб.91,28руб.89,04руб.82,88руб.81,20руб.78,96руб.71,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней131,04руб.120,96руб.118,16руб.115,36руб.107,52руб.104,72руб.102,48руб.91,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней67,20руб.61,60руб.60,48руб.58,80руб.54,88руб.53,76руб.52,08руб.47,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней129,36руб.119,28руб.116,48руб.113,68руб.110,32руб.106,40руб.100,80руб.90,72руб.

Характеристики

MJD45H11T4, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 20 Вт, -8 А The MJD45H11T4 is a PNP complementary Power Transistor manufactured using low voltage Multi Epitaxial Planar technology. It is intended for general-purpose linear and switching applications.

• Low collector-emitter saturation voltage
• Fast switching speed
• Surface-mount power package

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

-80В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

20Вт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

-8А
DC Усиление Тока hFE

40hFE