16

MJD45H11-1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 90 МГц

63,00 руб.

x 63,00 = 63,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней63,00руб.58,59руб.56,70руб.55,44руб.51,66руб.50,40руб.49,14руб.45,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней114,03руб.104,58руб.102,69руб.100,17руб.93,24руб.91,35руб.88,83руб.80,01руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней147,42руб.136,08руб.132,93руб.129,78руб.120,96руб.117,81руб.115,29руб.103,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней75,60руб.69,30руб.68,04руб.66,15руб.61,74руб.60,48руб.58,59руб.52,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней145,53руб.134,19руб.131,04руб.127,89руб.124,11руб.119,70руб.113,40руб.102,06руб.

Характеристики

MJD45H11-1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 90 МГц GP BJT
Trans GP BJT PNP 80V 8A Automotive 3-Pin(3+Tab) IPAK TubeПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-80В

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-251

Рассеиваемая Мощность

20Вт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

-8А

DC Усиление Тока hFE

40hFE

Частота Перехода ft

90МГц