5279005eeee121678450ce7741f07fb0

MJD44H11TM, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 80 В

61,00 руб.

x 61,00 = 61,00
Артикул: 1129935 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней61,00руб.56,73руб.54,90руб.53,68руб.50,02руб.48,80руб.47,58руб.43,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней110,41руб.101,26руб.99,43руб.96,99руб.90,28руб.88,45руб.86,01руб.77,47руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней142,74руб.131,76руб.128,71руб.125,66руб.117,12руб.114,07руб.111,63руб.100,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней73,20руб.67,10руб.65,88руб.64,05руб.59,78руб.58,56руб.56,73руб.51,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней140,91руб.129,93руб.126,88руб.123,83руб.120,17руб.115,90руб.109,80руб.98,82руб.

Характеристики

MJD44H11TM, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 80 В The MJD44H11TM is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for general-purpose power and switching (such as output or driver stages) applications.

• Lead formed for surface-mount application
• Low collector emitter saturation voltage
• Fast switching speeds

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

20Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

8А
DC Усиление Тока hFE

60hFE
Частота Перехода ft

50МГц