16

MJD44H11T4G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 85 МГц

63,00 руб.

x 63,00 = 63,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней63,00руб.58,59руб.56,70руб.55,44руб.51,66руб.50,40руб.49,14руб.45,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней114,03руб.104,58руб.102,69руб.100,17руб.93,24руб.91,35руб.88,83руб.80,01руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней147,42руб.136,08руб.132,93руб.129,78руб.120,96руб.117,81руб.115,29руб.103,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней75,60руб.69,30руб.68,04руб.66,15руб.61,74руб.60,48руб.58,59руб.52,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней145,53руб.134,19руб.131,04руб.127,89руб.124,11руб.119,70руб.113,40руб.102,06руб.

Характеристики

MJD44H11T4G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 85 МГц The MJD44H11T4G is a 8A NPN bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

• Electrically similar to popular D44H/D45H series
• Fast switching speeds
• Complementary pairs simplifies designs
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

20Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

DC Усиление Тока hFE

40hFE

Частота Перехода ft

85МГц