16

MJD243T4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 40 МГц

66,00 руб.

x 66,00 = 66,00
Артикул: 1129921 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней66,00руб.61,38руб.59,40руб.58,08руб.54,12руб.52,80руб.51,48руб.47,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней119,46руб.109,56руб.107,58руб.104,94руб.97,68руб.95,70руб.93,06руб.83,82руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней154,44руб.142,56руб.139,26руб.135,96руб.126,72руб.123,42руб.120,78руб.108,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней79,20руб.72,60руб.71,28руб.69,30руб.64,68руб.63,36руб.61,38руб.55,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней152,46руб.140,58руб.137,28руб.133,98руб.130,02руб.125,40руб.118,80руб.106,92руб.

Характеристики

MJD243T4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 40 МГц The MJD243T4G is a 4A NPN bipolar Power Transistor designed for low voltage, low power and high gain audio amplifier applications.

• High current-gain — bandwidth product (fT = 40MHz minimum @ IC = 100mA DC)
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

12.5Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

4А
DC Усиление Тока hFE

15hFE
Частота Перехода ft

40МГц