Заполнитель

MJD122TF, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 20 Вт, 8 А, 1000 hFE

70,00 руб.

x 70,00 = 70,00
Артикул: 1130688 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней70,00руб.65,10руб.63,00руб.61,60руб.57,40руб.56,00руб.54,60руб.50,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней126,70руб.116,20руб.114,10руб.111,30руб.103,60руб.101,50руб.98,70руб.88,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней163,80руб.151,20руб.147,70руб.144,20руб.134,40руб.130,90руб.128,10руб.114,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней84,00руб.77,00руб.75,60руб.73,50руб.68,60руб.67,20руб.65,10руб.58,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней161,70руб.149,10руб.145,60руб.142,10руб.137,90руб.133,00руб.126,00руб.113,40руб.

Характеристики

MJD122TF, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 20 Вт, 8 А, 1000 hFEThe MJD122TF is a NPN Silicon Darlington Transistor offers 100V collector base voltage and 8A collector current.

• High DC current gain
• Built-in a damper diode at E-C
• Electrically similar to popular TIP122
• Complement to MJD127
• Lead-formed for surface-mount applications

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

20Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

8А
DC Усиление Тока hFE

1000hFE