Заполнитель

MJD112G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В

60,00 руб.

x 60,00 = 60,00
Артикул: 1129916 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней60,00руб.55,80руб.54,00руб.52,80руб.49,20руб.48,00руб.46,80руб.43,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней108,60руб.99,60руб.97,80руб.95,40руб.88,80руб.87,00руб.84,60руб.76,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней140,40руб.129,60руб.126,60руб.123,60руб.115,20руб.112,20руб.109,80руб.98,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней72,00руб.66,00руб.64,80руб.63,00руб.58,80руб.57,60руб.55,80руб.50,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней138,60руб.127,80руб.124,80руб.121,80руб.118,20руб.114,00руб.108,00руб.97,20руб.

Характеристики

MJD112G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В The MJD112G is a 2A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

• Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
• Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
• Complementary pairs simplifies designs
• Surface-mount replacements for TIP110 to TIP117 series
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

1.75Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

2А
DC Усиление Тока hFE

12000hFE
Частота Перехода ft

25МГц