16

MJB44H11G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 50 МГц, 50 Вт

120,00 руб.

x 120,00 = 120,00
Артикул: 1129912 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней120,00руб.111,60руб.108,00руб.105,60руб.102,00руб.96,00руб.93,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней225,60руб.207,60руб.204,00руб.199,20руб.192,00руб.181,20руб.176,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней229,20руб.211,20руб.206,40руб.201,60руб.192,00руб.182,40руб.178,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней144,00руб.132,00руб.129,60руб.126,00руб.122,40руб.115,20руб.111,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней208,80руб.192,00руб.187,20руб.183,60руб.177,60руб.166,80руб.162,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней130,80руб.121,20руб.117,60руб.115,20руб.111,60руб.104,40руб.102,00руб.

Характеристики

MJB44H11G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 50 МГц, 50 Вт The MJB44H11G is a 80V NPN complementary Power Transistor designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

• Low collector to emitter saturation voltage (VCE (sat) = 1V maximum at 8A)
• Fast switching speeds
• Complementary pairs simplifies designs
• ESD rating — 3B > 8000V human body model, C > 400V machine model
• 5V Emitter to base voltage (VEBO)
• 2.5 C/W Thermal resistance, junction to case
• 7.5 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

50Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

10а
DC Усиление Тока hFE

40hFE
Частота Перехода ft

50МГц